20-нм DRAM-память SK hynix будет в третьем полугодии

Южнокорейский полупроводниковый великан, организация SK hynix в 2016 году рассчитывает включить стоковое изготовление микросхем материнской платы вида DRAM с применением 20-нм техпроцесса. Как сообщил глава компании Сань-вук Парк (Sung-wook Park) после собрания акционеров, старт изготовления начнётся в третьем полугодии, к его началу.

purepc.pl

purepc.pl

20-нм DRAM-чипы будут характеризоваться на 30 % отличной мощностью сравнивая с 25-нм предшественниками. Сравнивая с 28-нм чипами прирост составляет не менее 50 %. Также переход на не менее узкий процесс позволит увеличить энергоэффективность чипов и их насыщенность, из-за чего будет можно производить не менее ёмкие микросхемы.

koreabusiness.co.kr

koreabusiness.co.kr

Напоминаем, что организация SK hynix входит в четверку лидеров области. 1-ое место очень многие годы держит «Самсунг» Электроникс, а за 2-ое и 3-е места сражаются между собой SK hynix и Micron. «Самсунг» считается лидером не только лишь по подлинному обхвату рынка, но также и по техническому уровню. Она ещё в 2013 году произвела первую линейку 20-нм DRAM-чипов для мобильного сектора.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий