5b599a8a

Intel и Micron показали свежую флеш-память 3D NAND

Стратегически важный союз Intel и Micron сообщил о доступности новой технологии объёмною флеш-памяти NAND с плавучим затвором. По формальным данным, насыщенность упаковки данных в новой памяти в три раза превосходит возможности создающих конкуренцию технологий «Самсунг» и Toshiba. Если верить представителям Intel и Micron, подход союза к образованию трёхмерной флеш-памяти значительно различается от существующих видов 3D NAND. Он дает возможность формировать чипсеты MLC ёмкостью 256 Гбит, а для TLC данная цифра, как следствие, растет до 384 Гбит. Что это значит с позиции нормального покупателя?

А обозначает новая система, ни очень много, ни недостаточно, а вероятность образования твердотельных накопителей формата 2,5” ёмкостью 10 терабайт, тогда как в настоящее время их ёмкость, в большинстве случаев, не превосходит 2 терабайт. Для накопителей форм-фактора М.2 открывается вероятность образования SSD ёмкостью 3,5 терабайта, что также не по привычке очень много по передовым меркам. В последнем виде для этого требуется всего 5 корпусов TLC ёмкостью 384 Гбит, любой из которых имеет 16 кристаллов.

Как мы знаем, надёжность памяти NAND значительно падает с подъемом насыщенности, понижением техпроцесса, а в особенности в купе с применением трёхбитных ячей (TLC). Однако в этом случае для беспокойства нет особенных причин. Впрочем Intel никоим образом не объясняет этот вопрос, вероятнее всего, для изготовления новой памяти будет применяться довольно топорный процесс, приблизительно равносильный традиционному 50-нанометровому. А мы знаем, что 50-нанометровая память MLC без проблем выносит 10 миллионов циклов перезаписи. Квалифицированные поставки 256-гигабитных чипов MLC партнёрам Intel начаты, а эталоны 384-гигабитных микросхем TLC они обретут позже этой осенью.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий